Étude et réalisation d'amplificateur à transistor à effet de champ a l'AsGa refroidi à très basse température

Publisher Website
Google Scholar
Abstract
On calcule le facteur de bruit minimum et l'impédance de source optimale des transistors à effet de champ à l'AsGa refroidis à très basse température. Cette étude tient compte de l'excès de bruit dans les basses fréquences de la bande micro-onde que l'on ne peut négliger car par exemple à 300 MHz, il est plus important que les autres sources de bruit. On étudie l'influence du refroidissement sur les paramètres du transistor à partir des modifications des caractéristiques physiques du matériau semiconducteur. Des amplificateurs à 300 MHz utilisant des transistors à effet de champ à l'AsGa (NE 244 (1) et Gat 1 (2)) ont été réalisés et refroidis dans l'azote liquide et dans l'hélium liquide. Les caractéristiques du point de vue du bruit de ces amplificateurs correspondent aux prévisions théoriques. On a pu obtenir avec un amplificateur refroidi à l'hélium liquide utilisant un transistor NE 244 un facteur de bruit 0,25 dB

This publication has 2 references indexed in Scilit: