Corrélations entre méthode de préparation, hauteur de barrière et états d'interface dans les contacts métal-GaAs

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Abstract
La distribution des états d'interface dans un contact métal-semiconducteur peut être déterminée à partir de l'étude du comportement de la capacité dynamique d'une diode Schottky sous polarisation directe en fonction de la fréquence, la température et la tension appliquée. Cette méthode, appelée Spectroscopie de Capacité Schottky est appliquée à des dépôts d'Ag, Au et Al sur des surfaces de GaAs préparées de manières très diverses : clivage sous ultravide ou sous gaz, clivage suivi de bombardement ionique, nettoyage chimique, épitaxie par jets moléculaires. Ceci permet de tester le rôle joué par un grand nombre de paramètres sur la distribution des états d'interface et la hauteur de barrière. On constate que ces propriétés ne sont affectées de manière importante que par la création d'une zone interfaciale fortement perturbée, s'étendant sur plusieurs couches atomiques