Feldemission aus Silizium

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Abstract
Es wurde die Feldemission von p‐leitenden Silizium‐Einkristallen durch Aufnahme von Stromspannungs‐Kennlinien bei verschiedenen Temperaturen untersucht. Die Ergebnisse werden mit der in der voranstehenden Arbeit weitergeführten Theorie verglichen, indem eine Anpassung der experimentellen Kennlinien an die theoretischen Kurven durchgeführt wurde. Sie ergab für die Temperaturabhängigkeit der Kennlinien (gerader Teil) Übereinstimmung mit der Theorie bei einer aus dem Temperaturverhalten der Feldemission erschlossenen Austrittsarbeit von Φ = 5,2 eV. Da Mikrogeometrie der Spitze, Oberflächenzustände und ‐bedeckung nicht bekannt waren, mußten bei dem Vergleich zwischen Theorie und Experiment einige Annahmen gemacht werden.

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