Sur l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi à la surface des composés III-V

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Abstract
Ce travail est consacré à l'analyse de l'ancrage du niveau de Fermi sur les matériaux III-V, en termes de modèle d'état, de charge dans ces états et à la surface. Partant des résultats considérés comme acquis dans la bibliographie, résultats concernant GaAs et à un degré moindre InP, nous montrons qu'un modèle à deux états peut rendre compte de la majorité d'entre eux. En particulier, l'ancrage du niveau de Fermi sur GaAs s'explique bien à condition de positionner l'accepteur au-dessus du donneur. L'interaction de différents métaux conduisant expérimentalement à des ancrages du niveau de Fermi situés, dans tous les cas, dans le tiers inférieur de la bande interdite s'explique bien par ce modèle. Si l'évolution de l'ancrage à très fort recouvrement peut être, comme l'ont fait différents auteurs, interprétée par l'apparition d'un état supplémentaire, on montre que l'hypothèse d'une évolution de la position énergétique des états avec le recouvrement conduit au même résultat. Dans le cas de InP, nous montrons que l'ancrage près de la bande de conduction s'explique en prenant en compte un état donneur positionné au-dessus d'un état accepteur. Nous expliquons les différences de positions de l'ancrage caractéristiques des différents métaux par de légères variations dans le taux de création des états par le métal