Modifications des caractéristiques électriques de contacts métal-silicium par bombardement d'ions argon de faible énergie
- 1 January 1984
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 19 (12) , 971-978
- https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019012097100
Abstract
Les caractéristiques I(V) d'un contact métal-Si monocristallin faiblement dopé sont radicalement modifiées par bombardement d'ions argon : le contact métal-Si(n) devient ohmique, le contact métal-Si(p) devient redresseur. L'effet d'irradiation est considérable même pour des énergies de l'ordre de 100 eV. La couche de surface amorphe, enrichie en donneurs, donne naissance à des structures métal-n+-n et métal-n+-p. La conduction est dominée par l'interface Si(amorphe)-Si(cristal) dans la profondeur du matériau. Les caractéristiques électriques sont comparées à celles de jonctions Si(amorphe)-Si(cristal) ou Si(endommagé)-Si(cristal) réalisées par d'autres techniquesKeywords
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