Ausbreitungsgeschwindigkeit von monoatomaren Schichten und Mechanismus der elektrolytischen Abscheidung des Silbers

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Abstract
Die Technik für die Herstellung von Elektroden, welche nur eine einzige kristallographische Fläche der Elektrolyse darbieten, wurde für die Untersuchung des Abscheidungsmechanismus des Silbers angewandt. Berechnungen, die sich auf die Ausbreitungskinetik von monoatomaren Schichten und die Austauschstromdichte an versetzungsfreien Flächen stützen, deuten auf eine direkte Abscheidung der Metallionen an Wachstumsstellen. Die quadratische Abhängigkeit der Stromdichte von der Überspannung nach der Frank‐Lorenzschen Theorie, die an versetzungsarmen Flächen gefunden wurde, ergibt eine Möglichkeit, Flächen mit genau bekannter Stufendichte herzustellen. Impedanz‐Messungen an solchen Flächen zeigen, daß die Austauschstromdichte von der Stufendichte stark beeinflußt wird. Theoretische Erwägungen anhand dieser Resultate unterstützen die Annahme eines direkten Abscheidungsmechanismus. Die Oberflächendiffusion scheint im Falle der Silber‐Abscheidung aus Silbernitrat‐Lösungen eine untergeordnete Bedeutung zu haben.

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