Untersuchung von Heterostrukturen der Mischkristallreihe GaAs/AlAs mit dem Rasterelektronenmikroskop

Publisher Website
Google Scholar
Abstract
Die Untersuchung von Heterostrukturen der Mischkristallreihe GaAs/AlAs mit Hilfe verschiedener rasterelektronenmikroskopischer Techniken führt zu dem Ergebnis, daß zum Nachweis von geringen Bandabstandsänderungen die Ausnutzung der Katodolumineszenz sehr geeignet ist. Der Vorteil, der sich gegenüber dem Sekundärelektronenkontrast bzw. der Abbildung mit rückgestreuten Elektronen hinsichtlich einer materialspezifischen Identifizierung ergibt, ist eindeutig. Der Verlauf des Intensitätsprofils bei steigender Primärelektronenenergie erlaubt den Nachweis eines qualitativen Zusammenhanges zum Wert des Bandabstandes. Dies wird an zwei Heterostrukturen mit stark unterschiedlicher Dotierung demonstriert. Mit Hilfe der Y‐Modulationstechnik gelingt es, einen orientierungsabhängigen Anteil im Bildkontrast bei Homo‐ und Heteroübergängen von Mehrfachstrukturen nachzuweisen.

This publication has 2 references indexed in Scilit: