Sur le mécanisme de l'effet photovoltaique dans les photopiles au tellurure de cadmium

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Abstract
On emploie, pour préparer les cellules photoélectriques au CdTe, soit avec des cristaux uniques, soit avec des couches minces, une méthode qui dérive de celle de Cusano [1]. Elle consiste à déposer une couche de CdTe de grande résistance, puis une couche de tellurure de cuivre par évaporàtion instantanée. On indique les variations des propriétés électriques et optiques du tellurure de cuivre en fonction de la teneur en cuivre, voisine de celle de Cu2Te. On détermine les propriétés électriques et photoélectriques des cellules, y compris les caractéristiques de diode et la capacité C en fonction de la température, la réponse spectrale, ainsi que la variation avec la température du signal photovoltaïque et des caractéristiques (I, V). De ce que Cu2Te est grandement dégénéré, que C(V) suit une loi en V—1/3, que la barrière atteint de 1 à 1,3 eV, que les niveaux d'accepteur du cuivre dans CdTe sont responsables du courant inverse produit dans la région de charge d'espace et que les seuils d'absorption et d'effet photovoltaïque coïncident, on déduit que l'accord avec l'expérience s'obtient en représentant la cellule par une jonction p-n. Le meilleur r endement d'un cristal unique employé comme convertisseur solaire a été de 5 %, et d'autres ellules ont fonctionné comme détecteurs de rayons α [2]