Etats stationnaires et régimes évolutifs de la charge d'espace dans les diélectriques. Influence de la nature de l'interface sur les distributions de charges et de potentiel
- 1 January 1979
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique
- Vol. 40 (6) , 607-615
- https://doi.org/10.1051/jphys:01979004006060700
Abstract
L'utilisation d'une méthode numérique décrite dans un article antérieur a permis d'obtenir les distributions de charge électrique et de potentiel dans un diélectrique unidimensionnel à un porteur. Les résultats obtenus avec des interfaces injectantes symétriques ou non et des interfaces bloquantes ont été comparés. Des expressions analytiques des différentes variables électriques sont données ainsi que leur domaine de validité. De l'étude théorique il a été possible de déduire des techniques expérimentales simples permettant de déterminer la charge q et la mobilité μ des porteurs, ainsi que la concentration de porteurs aux interfaces et la charge totale du matériauKeywords
This publication has 13 references indexed in Scilit:
- Diffusion effects in one-carrier space-charge-limited currents with trappingJournal of Applied Physics, 1974
- Criterion for determining the origin of Ohmic currents in insulatorsJournal of Applied Physics, 1973
- High electric field effects in n-siliconJournal of Applied Physics, 1972
- Electric Field Distriutions in Dielectrics, with Special Emphasis on Near-Surface Regions in FerroelectricsPhysical Review B, 1971
- An accurate numerical steady-state one-dimensional solution of the P-N junctionSolid-State Electronics, 1968
- A computer solution for the steady-state behaviour of a PN-junction diodeSolid-State Electronics, 1966
- Space charge regions in semiconductorsSolid-State Electronics, 1964
- La region de charge d'espace a l'equilibre dans les semi-conducteurs À faible densité de porteurs libresSurface Science, 1964
- Mechanisms of space-charge-limited current in solidsSolid-State Electronics, 1961
- Simplified Theory of Space-Charge-Limited Currents in an Insulator with TrapsPhysical Review B, 1956