Halleffekts‐ und Leitfähigkeitsmessungen an den Mischkristallen PbTe‐InTe (Halbleitereigenschaften von Telluriden, V)

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Abstract
Das Zustandsdiagramm des Pseudozweistoffsystems PbTe‐InTe wird angegeben. Es zeigt ein Eutektikum bei etwa 26 Mol‐% InTe und 640 °C. Leitfähigkeit und Hallkonstante wurden bei Temperaturen von −165…+350 °C gemessen. Stöchiometrisches PbTe und InTe sindp‐leitend, Einkristalle mit einer Einwaage von 0,1 Gew.‐% InTe zeigen Kompensationsleitung, höhere Einwaagen sindn‐leitend. Einkristalle sind bis 1 Gew.‐% InTe herstellbar, über Polykristalle bis 5% wird berichtet, dabei sind die Meßkurven 0,3…1% InTe Einwaage praktisch identisch, hier ist also die Löslichkeitsgrenze erreicht. Die elektrische Leitfähigkeit (zwischen 4 · 103und 2 · 101Ω−1cm−1) sinkt mit steigender Temperatur. Bei den stöchiometrischen und mit 0,1% dotierten Kristallen biegen ab 570 °K bzw. 500 °K die Kurven in die Eigenleitung mit ΔE= 0,37 eV bzw. 0,32 eV ein. Die Hallkonstanten (zwischen 10−1und 101cm2A−1s−1) steigen mit steigender Temperatur leicht an. Bei höheren Temperaturen als 500…600 °K wechselnp‐leitende Proben das Vorzeichen. Für stöchiometrische und schwach dotierte Proben wird eine Beweglichkeit ∼Txe−γTgefunden mitxvon 0…2,5 und γ von 15,7…3,5 10−3grd−1. Für stöchiometrisches PbTe wird die Wärmeleitung dargestellt und in Gitterleitung, Elektronenanteil und Leitung durch bipolare Diffusion aufgespaltet. Der thermoelektrische Gütefaktor wird hierfür errechnet.