Influence de la chimisorption sur le courant d'obscurité du CdS de résistivité élevée

Publisher Website
Google Scholar
Abstract
Nous avons mesuré la conductivité à l'obscurité de monocristaux très minces de CdS en fonction de l'état de chimisorption d'oxygène à la surface. Les études effectuées avec différents contacts montrent que la conductivité en volume est affectée par les niveaux de surface. On conclut que tous les porteurs du volume sont piégés par les niveaux de surface. Sous oxygène et sous vide, la conductivité, dans l'état adsorbé, est faible (10-15 (ohm.cm)-1). L'augmentation de la conductivité (5 x 10-9 (ohm.cm)-1) après bombardement électronique est interprétée comme une désorption d'oxygène. Sur un cristal adsorbé (conductivité faible), la mesure de la conductivité en fonction de la température montre l'existence de niveaux situés à 0,4 et 0,9 eV en dessous de la bande de conduction. Ceux-ci sont attribués à deux états d'ionisation de l'oxygène à la surface du CdS, appelés « O-- » et « O- ». La même mesure effectuée sur un cristal « désorbé » (conductivité élevée) permet d'atteindre des niveaux situés à 0,04, 0,06 et 0,16 eV en dessous de la bande de conduction. En comparant les effets d'un bombardement électronique (6 keV) d'une part et d'une irradiation lumineuse (4 500 Å) d'autre part, sur la conductivité à l'obscurité, on conclut que la désorption par trous libres est relativement inefficace. Lorsque le cristal est irradié par des électrons (5 x 10-6 A/cm2), la conductivité à l'obscurité augmente en fonction de la durée t de l'exposition suivant une loi en t1, 7. On peut déduire que la désorption est un processus qui transforme l'oxygène se trouvant dans un certain état de chimisorption (O--) en oxygène physisorbé par l'intermédiaire d'un deuxième état de chimisorption (O-). Une dose de 1017 électrons/cm2 est nécessaire pour la désorption optimale