Emission excitonique dans ZnSe : largeurs de raies, énergies d'activation thermiques et optiques

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Abstract
Une étude systématique des émissions d'excitons libres et liés en fonction de la température a été faite sur différents échantillons de ZnSe. Dans des échantillons recuits dans de la vapeur de sélénium, les raies I 1 et I1Deep sont particulièrement bien observées. Les largeurs des répliques phonon deviennent de plus en plus grandes avec le nombre de phonons émis. Les processus de désexcitation des complexes excitons liés sont discutés et les processus effectifs ne sont pas les mêmes que ceux trouvés par d'autres auteurs pour des excitons liés dans des échantillons de GaAs. De plus, nous trouvons des énergies d'activation thermique qui sont légèrement plus faibles que les énergies de liaison optique des excitons