Application de la technique des oscillations d'intensité de diffraction électronique en incidence rasante à la croissance des semi-conducteurs III-V par épitaxie par jets moléculaires

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Abstract
L'enregistrement des oscillations d'intensité de diffraction des électrons en incidence rasante (RHEED) en cours de croissance épitaxiale par jets moléculaires (EJM), permet la détermination en temps réel de certains paramètres essentiels de la croissance tels que vitesse, composition d'alliage, intensité des flux d'éléments III incidents à la surface et coefficients de collage des éléments III. Nous donnons des exemples de l'utilisation de cette technique obtenus dans le cas de la croissance de GaAs, AlAs, Al(x)Ga(1-x)As et Al(1-x )In (x )As sur substrats GaAs. Nous discutons des états de rugosité de l'interface de croissance observés pour ces différents matériaux et de leurs évolutions en fonction des paramètres de croissance. D'autre part, nous reportons l'observation pour la première fois du phénomène des oscillations de RHEED pendant la croissance Ga(1-x)In(x)As et Al(1-x )In(x)As en accord de maille sur substrat InP