Auger-rekombination im mittelgebiet durchlassbelasteter silizium-gleichrichter und -thyristoren

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• Die räumliche verteilung der rekombination in legierten silizium-psn-gleichrichtern bei belastung in durchlassrichtung
  Solid-State Electronics, 1973
• Auger-rekombination in Si
  Solid State Communications, 1973
• Die abhängigkeit der trägerbeweglichkeit in silizium von der konzentration der freien ladungsträger—II
  Solid-State Electronics, 1972
• Die abhängigkeit der trägerbeweglichkeit in silizium von der konzentration der freien ladungsträger—I
  Solid-State Electronics, 1972
• Messung der ladungsträger-konzentrationsverteilung im mittelgebiet eines legierten silizium-psn-gleichrichters bei belastung in durchlassrichtung
  Solid-State Electronics, 1972
• The spectrum and decay of the recombination radiation from strongly excited silicon
  Solid State Communications, 1972
• The High Current Limit for Semiconductor Junction Devices
  Proceedings of the IRE, 1957