Zur Versetzungsbildung an Ritzen auf einkristallinen Silizium‐Oberflächen
- 1 January 1975
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Crystal Research and Technology
- Vol. 10 (12) , 1239-1248
- https://doi.org/10.1002/crat.19750101205
Abstract
Definiert geritzte (111)‐Scheiben wurden bei 850 °C und 1000 °C getempert und mittels Strukturätzen, Röntgentopographie und Elektronenmikroskopie untersucht. Es wird der Zusammenhang zwischen Versetzungsanordnung und dem erzeugenden Verspannungszustand diskutiert. Die elektronenmikroskopischen Beobachtungen lassen sich interpretieren, wenn man eine Reaktion unter Bildung von Lomer‐Versetzungen annimmt.Keywords
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- Dislocation sources and interactions in siliconPhysica Status Solidi (a), 1970
- Thermally activated dislocation sources in silicon single crystalsPhysica Status Solidi (a), 1970
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