Analyse du processus de formation de la barrière or-silicium
- 1 January 1978
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 13 (9) , 449-455
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01978001309044900
Abstract
Nous comparons les caractéristiques courant-tension sous éclairement de diodes Schottky or-silicium à des courbes théoriques de structures MIS. Nous montrons que l'évolution dans le temps de ces caractéristiques est due à la neutralisation d'une charge fixe positive, située à l'interface métal-semiconducteur, par l'oxygène de l'air qui diffuse à travers le contact métallique et qui se comporte en piège à électrons du semiconducteurKeywords
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- Improvement of the photovoltaic efficiency of a metal-insulator-semiconductor structure: Influence of interface statesJournal of Applied Physics, 1977
- Some recent studies of very thin SiO2 filmsJournal of Vacuum Science and Technology, 1974
- Rectifying Process in Surface Barrier DetectorsIEEE Transactions on Nuclear Science, 1964