Caractérisation d'un substrat semiconducteur par technique micro-onde et injection photonique

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Abstract
La méthode de caractérisation utilisée permet la détermination de la durée de vie, de la constante de diffusion des porteurs en volume et des vitesses de recombinaison en surface pour une plaquette semiconductrice standard, sans aucun traitement technologique préalable. Le principe de mesure est de faire l'étude de la variation de la transmission de la plaquette lorsque l'on soumet celle-ci à un flux de photons. Une analyse photofréquentielle associée à un modèle mathématique exact permet de réaliser par identification la détermination des paramètres recherchés. Des résultats ont été obtenus sur des échantillons de silicium de résistivité moyenne et élevée