Siliciumkarbid — Halbleiter für die neunziger Jahre

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Abstract
Siliciumkarbid (SiC) wird synthetisch bereits seit über hundert Jahren hergestellt. Seit dem Jahr 1907 ist bekannt, daß SiC gleichrichtende und lumineszierende Eigenschaften besitzt. Trotz all dieser Erkenntnisse stieg das Interesse an SiC als Halbleitermaterial für elektronische Bauelemente erst in der letzten Dekade des 20. Jahrhunderts stark an. Woran lag das? Die Antwort ist wohl darin zu suchen, daß eine ernsthafte Akzeptanz eines neuen Halbleitermaterials oder eines neuen Phänomens durch die Industrie nur dann erfolgt, wenn entweder massive wirtschaftliche Anreize locken und/oder einfach die technologische Entwicklung nicht mehr vorankommt. Das gegenwärtige emsige Treiben um SiC hat seinen Ursprung in beiden Fakten. Es gibt auf dem Markt einen großen Bedarf an Hochtemperatur‐, Hochleistungs‐ und Hochfrequenz‐Halbleiterbauelementen, und Silicium — eines der großen Geschenke unseres Herrgotts an die Menschheit — kann nicht all diese Anforderungen erfüllen. Insbesondere oberhalb einer Betriebstemperatur von 200 °C wird Silicium durch seinen nahen Verwandten SiC ersetzt werden müssen. Dieser Beitrag informiert über Eigenschaften und Einsatzmöglichkeiten