Energie dispersive dans les semiconducteurs

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Abstract
Nous avons analysé pour plusieurs semiconducterus l'énergie dispersive Ed, définie dans le modèle de Wemple et Didomenico, en relation avec les énergies covalentes et ioniques Eh et C. Une courbe continue de l'ionicité est donnée en fonction du rapport de deux énergies EA et EB reliées à Eh et C. Le modèle développé par Afromowitz, à partir des moments optiques, est appliquè au composé ternaire Ga1−xAlxSb. A partir de ces résultats, l'énergie du gap moyen Eg est donnée par Eg = D0M/(ϵ1(0) ‐ 1) où M est la contribution des transitions interbandes au moment optique M0.