Epitaxial Deposition of GaAs in the Ga(CH3)3-AsH3-H2 system (II). Investigations on the Hetero‐Epitaxy of GaAs on Ge
- 1 January 1974
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Crystal Research and Technology
- Vol. 9 (4) , 355-363
- https://doi.org/10.1002/crat.19740090404
Abstract
Durch Pyrolyse von Ga (CH3)3AsH3H2 wurden GaAs‐Epitaxieschichten auf (111)‐, (110)‐ und (100)‐Ge‐Substraten abgeschieden. In dieser Arbeit wird der Einfluß der Wachstumsbedingungen und des Gitterunterschiedes von GaAs und Ge auf die Qualität der GaAs‐Epitaxieschichten beschrieben und diskutiert. Die Epitaxieschichten wurden durch chemisches ätzen, Röntgenuntersuchungen und durch Betrachten der Oberflächenmorphologie charakterisiert.Keywords
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