Caractérisation des défauts produits dans GaAs irradié aux protons par analyse des transitoires thermiques et optiques de capacité

Publisher Website
Google Scholar
Abstract
Nous avons analysé, par spectroscopie capacitive thermique (DLTS, conductance) les défauts créés à 300 K et à 77 K par irradiation de protons (énergie 90 keV, dose : quelque 1011 ions/cm2) dans des diodes Schottky Au-GaAs de type n. A 300 K, les défauts produits sont les pièges à électrons E2, E3, E4, E5 trouvés après irradiation aux électrons. A dose d'implantation moyenne, un autre défaut (E c - 0,3 eV, σna = 3 × 10-14 cm2) est mis en évidence. A 77 K, un nouveau piège à électron (Ec - 0,26 eV, σna = 9 x 10-13 cm2) qui se recuit entre 200 K et 300 K est observé. Les défauts E2 et E3 sont aussi produits après une irradiation à basse température. Des résultats préliminaires concernant l'évolution de ces pièges lors des étapes de recuit entre 200 K et 300 K sont donnés. Nous avons également appliqué la nouvelle méthode de DLOS (Deep Level Optical Spectroscopy) à la mesure de la section efficace de capture optique σ0n( hv) de E3, ce qui nous a permis de préciser l'effet de relaxation de réseau sur ce centre