Niveaux profonds dans les diodes électroluminescentes GaAs-GaAlAs
- 1 January 1978
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 13 (5) , 232-240
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01978001305023200
Abstract
Les niveaux profonds ont été étudiés dans différentes structures à couches minces de GaAs, Ga1-xAlxAs (diodes Schottky, jonctions p+ n, doubles hétérostructures) élaborées par L. P. E. Les pièges sont caractérisés par leur densité, énergie d'activation et section efficace de capture. Ces paramètres sont déduits de l'analyse des spectres obtenus par la spectroscopie capacitive transitoire. Un certain nombre de ces centres profonds ont été identifiés à ceux déjà connus. Une influence de la concentration en Al sur l'énergie d'activation a été constatée pour certains d'entre euxKeywords
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