Détermination des paramètres de distribution des auto-interstitiels silicium en vue de la modélisation 2-D des processus technologiques. Discussion sur la validité physique

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Abstract
Nous présentons une simulation de la distribution en volume des auto-interstitiels silicium pendant une oxydation thermique en face arrière de plaquette. Nous montrons d'abord qu'elle peut permettre la description de la distribution d'impuretés à 2 dimensions dans une structure « LOCOS ». Nous donnons également les hypothèses physiques qui sont à la base de notre modèle. Ce dernier donne une longueur de recombinaison en volume, Lv = 35 μm ± 8 μm et une longueur de recombinaison en surface sur SiO2 de 8 μm ± 2 μm (à 1 100 °C) qui sont en bon accord avec les ordres de grandeurs déterminés sur des mesures à 2 dimensions. La valeur trop faible trouvée pour la diffusivité D i des auto-interstitiels et les contradictions soulevées par certains auteurs nous amènent ensuite à remettre en cause certaines hypothèses jusqu'à présent admises à propos de l'effet de l'oxydation thermique sur le silicium