Schottky barrier height and reverse current of the n-Si-electrolyte junction
- 31 December 1979
- journal article
- Published by Elsevier in Surface Science
- Vol. 88 (1) , 204-220
- https://doi.org/10.1016/0039-6028(79)90576-4
Abstract
No abstract availableThis publication has 17 references indexed in Scilit:
- Photoelectrolysis of water: Si in salt waterJournal of Applied Physics, 1976
- n+ Silicon-electrolyte interface capacitanceSurface Science, 1971
- Anodic Dissolution of N+ SiliconJournal of the Electrochemical Society, 1971
- Potential distribution and formation of surface states at the silicon-electrolyte interfaceSurface Science, 1966
- Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutionsSurface Science, 1966
- Über die Impedanz von Halbleiter‐Elektrolyt‐Grenzflächen Mitteilung III: Über den Einfluß von Oberflächenzustanden auf das elektrische Verhalten yon Germanium‐ und Silizium‐ElektrodenBerichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie, 1963
- Über die Impedanz von Halbleiter-Elektrolyt-Grenzflächen Mitteilung I. Kapazität und Leitwert von Germanium- und Silizium-ElektrodenBerichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie, 1963
- ELECTROCHEMISTRY OF THE SILICON‐ELECTROLYTE INTERFACEAnnals of the New York Academy of Sciences, 1963
- Saturation Currents in Germanium and Silicon ElectrodesJournal of the Electrochemical Society, 1958
- Anodic Formation of Oxide Films on SiliconJournal of the Electrochemical Society, 1957