Zur Thermodynamik des Systems Si–C–Cl–H und Darstellung von phasenreinem SiC
- 1 January 1978
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Crystal Research and Technology
- Vol. 13 (4) , 395-403
- https://doi.org/10.1002/crat.19780130411
Abstract
Es wird ein Weg zur thermodynamischen Berechnung der Darstellungsbedingungen binärer und komplizierterer Verbindungen durch Gasphasenabscheidung beschrieben, und damit werden die Abscheidungsbedingungen der reinen SiC‐Phase im System Si–C–Cl–H sowie die Koabscheidungsbedingungen mit den benachbarten Phasen ermittelt. Die experimentelle Überprüfung der relative großen berechneten Darstellungsbereiche ergab insbesondere oberhalb 1700 K eine gute Übereinstimmung.Keywords
This publication has 10 references indexed in Scilit:
- Zu dem Transportsystem V-O-Te-Cl und dem Transportverhalten der Vanadinoxide mit TeCl4 (I). Der Transport von VanadindioxidCrystal Research and Technology, 1977
- Chemischer Transport von Eisensulfid. I. Thermodynamische Gesichtspunkte beim Transport von FeSx mit Jod – ein Beitrag zum Problem des Transportes von Verbindungen mit einem HomogenitätsgebietZeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie, 1975
- Vapor-Phase Deposition of Beta-Silicon Carbide on Silicon SubstratesJournal of the Electrochemical Society, 1973
- Gasphasenabscheidung im system Silicium-KohlenstoffJournal of the Less Common Metals, 1971
- Growth, Texture, and Surface Morphology of SiC LayersJournal of the Electrochemical Society, 1971
- Growth Characteristics of Alpha-Silicon CarbideJournal of the Electrochemical Society, 1971
- β-Silicon Carbide FilmsJournal of the Electrochemical Society, 1969
- The Epitaxial Growth of Silicon CarbideJournal of the Electrochemical Society, 1966
- Epitaxial Growth of Silicon Carbide by the Thermal Reduction TechniqueJournal of the Electrochemical Society, 1966
- The Equilibrium Behavior of the Silicon-Hydrogen-Chlorine SystemIBM Journal of Research and Development, 1964