Conversion photovoltaïque dans Cu2O
- 1 January 1979
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 14 (1) , 231-236
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01979001401023100
Abstract
La conversion à bas prix de l'énergie solaire par des jonctions Cu-Cu 2O, est envisagée. Les meilleures conditions trouvées pour la fabrication des cellules frontales (évaporation ou pulvérisation de Cu) et des cellules dorsales (oxydation partielle) ainsi que les moyens d'abaisser la résistance série sont décrits. Les caractéristiques I-V montrent que la hauteur de la barrière est toujours voisine de 0,7 V, mais que le facteur n est de l'ordre de 3 ou de 6 selon le mode de fabrication, ce qui traduit l'existence d'états interfaciaux. Les performances limitées sont attribuées à l'inhomogénéité des jonctions et à la faible valeur mesurée (1 à 2 μm) de la longueur de diffusionKeywords
This publication has 3 references indexed in Scilit:
- Electrical conductivity and thermal activation energies in Cu2O single crystalsPhysica Status Solidi (a), 1972
- Studies of tunnel MOS diodes I. Interface effects in silicon Schottky diodesJournal of Physics D: Applied Physics, 1971
- Photoelectric Determination of the Image Force Dielectric Constant For Hot Electrons in Schottky BarriersJournal of Applied Physics, 1964