Transport de matière en régime isotherme par couplage entre un flux d'évaporation et un flux de diffusion
- 1 January 1967
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique
- Vol. 28 (7) , 573-581
- https://doi.org/10.1051/jphys:01967002807057300
Abstract
On met en évidence l'existence d'un transport de matière en régime isotherme entre les composés CdTe et HgTe. Ce transport net se manifeste par le déplacement de rainures tracées à l'interface de contact d'un couple d'interdiffusion ou par la formation d'un dépôt épitaxique de HgTe sur CdTe si les matériaux ne sont pas en contact. Les caractéristiques du phénomène sont étudiées expérimentalement et on montre que le transport est dû à un couplage entre évaporation et interdiffusion. Avec l'hypothèse que ce couplage résulte d'une distribution de lacunes de mercure engendrées par l'interdiffusion, on rend compte de façon satisfaisante des principaux résultats expérimentauxKeywords
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- Se Self-Diffusion in CdSe and the Defect Structure of the II-VI CompoundsPhysical Review Letters, 1966
- Croissance épitaxique de composés semiconducteurs par évaporation-diffusion en régime isothermeRevue de Physique Appliquée, 1966
- Partial pressures of Hg(g) and Te2(g) in Hg-Te system from optical densitiesJournal of Physics and Chemistry of Solids, 1965
- Etude de l'equilibre de phases dans le tellurure de mercureJournal of Physics and Chemistry of Solids, 1964