Photoluminescence et propriétés optiques d'alliages Si x C1-x amorphes préparés par depôt chimique en phase vapeur

Publisher Website
Google Scholar
Abstract
Des alliages amorphes Si x C1-x (0,24 <x < 0,82), ont été synthétisés en couches minces par décomposition thermique de cinq molécules organosiliciées par la technique des dépôts chimiques en phase vapeur. Les gaps optiques déterminés par extrapolation des courbes linéaires d'absorption αhv = B(hv - E 0)2 font apparaître un maximum situé à E 0 = 2,35eV pour une valeur x ≃ 0,40. Les spectres de photoluminescence font apparaître un seul pic situé aux environs de de 1,70 eV quel que soit x. Les résultats de ce travail sont comparés avec ceux obtenus par divers auteurs sur le même type d'alliages amorphes Si x C1-x réalisés par décomposition activée par plasma, et par pulvérisation cathodique. Les différences des propriétés entre les alliages obtenus par ces auteurs et nos dépôts sont expliquées par une meilleure homogénéité de ces derniers.