Modeling of Bipolar Devices

This publication has 18 references indexed in Scilit:

• The pn-product in silicon
  Solid-State Electronics, 1977
• A review of some charge transport properties of silicon
  Solid-State Electronics, 1977
• Die rekombination in thyristoren und gleichrichtern aus silizium: Ihr einfluss auf die durchlasskennlinie und das freiwerdezeitverhalten
  Solid-State Electronics, 1975
• Auger-rekombination in Si
  Solid State Communications, 1973
• Die abhängigkeit der trägerbeweglichkeit in silizium von der konzentration der freien ladungsträger—II
  Solid-State Electronics, 1972
• Die abhängigkeit der trägerbeweglichkeit in silizium von der konzentration der freien ladungsträger—I
  Solid-State Electronics, 1972
• The influence of heavy doping on the emitter efficiency of a bipolar transistor
  IEEE Transactions on Electron Devices, 1971
• Measured dependence of lifetime upon local defect density and temperature in depletion layers of epitaxial silicon diodes
  IEEE Transactions on Electron Devices, 1967
• Carrier mobilities in silicon empirically related to doping and field
  Proceedings of the IEEE, 1967
• Broadening of Impurity Bands in Heavily Doped Semiconductors
  Physical Review B, 1965