Rastertunnelmikroskopie an reinen und adsorbatbedeckten Oberflächen

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Abstract
Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist ein kleiner Überblick über Untersuchungen an reinen und adsorbatbedeckten Oberflächen in der Arbeitsgruppe des Autors. Sie sind dem eher konventionellen Bereich der Rastertunnelmikroskopie zuzuordnen, in dem an möglichst gut definierten, im Ultrahochvakuum (UHV) präparierten Proben gemessen wird. Es werden Ergebnisse an einer reinen Halbleiter‐ und Metalloberfläche [Si(100) bzw. Ni(100)] gezeigt sowie Ergebnisse nach Adsorption von Metallen (Ag) und Gasen (O2) im Submonolagenbereich auf diesen Substraten. Für die Erfassung von zeitlich veränderlichen Vorgängen auf Oberflächen wurde ein schnelles Rastertunnelmikroskop entwickelt, mit welchem z. B. die atomaren Effekte während der Adsorption verfolgt werden können. Diese Methode wurde erstmalig eingesetzt bei der Adsorption von O2 auf Si(111), wobei die verschiedenen Phasen der Sauerstoff‐Adsorption atomar aufgelöst sichtbar gemacht werden konnten.

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