Epitaxie par jets moléculaires de In0,53Ga0,47As et de InP sur substrats de InP

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Abstract
Des couches de In0,53Ga0,47As de haute pureté, accordées avec le substrat de InP, ont été épitaxiées par la technique des jets moléculaires (E.J.M.). Les concentrations d'impuretés résiduelles sont de l'ordre de 10 15 cm- 3, avec des mobilités électroniques allant jusqu'à 47 000 cm2/V.s à 77 K. La bonne qualité des couches est obtenue en contrôlant la préparation du substrat, la température du substrat, la pression d'arsenic et le recuit des produits sources. La caractérisation des couches est faite par diffraction de rayons X, effet Hall et photoluminescence à basse température. Les dopages de type n à l'étain et de type p au béryllium sont contrôlés de 1016 cm-3 à 1019 cm-3. Enfin, nos premiers résultats d'E.J.M. de InP sont présentés