Protection des transistors MOS en régime de deuxième claquage

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Abstract
On propose une méthode originale de stabilisation du fonctionnement des transistors MOS dans le régime de deuxième claquage. Elle est basée sur l'utilisation d'une résistance intégrée et répartie de source, dite « ballast », qui, par contre-réaction électrique, évite les mécanismes de concentration et de focalisation des lignes de courant et protège le composant contre toute destruction par point chaud localisé