Die Temperaturabhängigkeit des Dotanteneinbaus bei der Abscheidung von Siliziumepitaxieschichten aus der Gasphase (I) Der Phosphoreinbau und die Natur des Segregationskoeffizienten
- 1 January 1978
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Crystal Research and Technology
- Vol. 13 (8) , 939-946
- https://doi.org/10.1002/crat.19780130809
Abstract
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- Die Temperaturabhängigkeit des Dotanteneinbaus bei der Abscheidung von Siliziumepitaxieschichten aus der Gasphase (II). Der Phosphoreinbau und die Größe der differentiellen molaren LösungsenthalpieCrystal Research and Technology, 1978
- The incorporation of phosphorus in silicon; The temperature dependence of the segregation coefficientJournal of Crystal Growth, 1975
- Relationship between resistivity and phosphorus concentration in siliconJournal of Applied Physics, 1974
- The Incorporation of Phosphorus in Silicon Epitaxial Layer GrowthJournal of the Electrochemical Society, 1974
- Doping of Epitaxial Silicon FilmsJournal of the Electrochemical Society, 1968