Die Temperaturabhängigkeit des Dotanteneinbaus bei der Abscheidung von Siliziumepitaxieschichten aus der Gasphase (II). Der Phosphoreinbau und die Größe der differentiellen molaren Lösungsenthalpie
- 1 January 1978
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Crystal Research and Technology
- Vol. 13 (9) , 1059-1066
- https://doi.org/10.1002/crat.19780130907
Abstract
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- The incorporation of phosphorus in silicon; The temperature dependence of the segregation coefficientJournal of Crystal Growth, 1975
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- Electrical Properties of Silicon Containing Arsenic and BoronPhysical Review B, 1954