Étude de la préparation et des propriétés électriques de couches minces semiconductrices d'antimoniure d'aluminium

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Abstract
Nous avons réalisé des couches minces du composé AlSb présentant des propriétés semiconductrices semblables à celles du matériau massif. La technique de préparation utilise l'évaporation simultanée des éléments constituants dans des proportions stoechiométriques. Pour des températures de recuit supérieures ou égales à 650 °C, seul le composé AlSb cristallise à partir des phases liquides des composants, alors qu'il est accompagné d'une phase antimoine résiduelle pour des recuits effectués entre 520 et 650 °C. Les couches sont toutes de type p et leur conductibilité varie entre 0,05 et 0,5 Ω-1 cm-1 à 250 °C. L'étude de la transmission (I. R. et visible) et de la réflexion optique de ces couches conduit à une largeur de bande interdite optique de 1,90 eV associée à une transition indirecte nécessitant une énergie d'activation de 1,50 eV. Ces résultats sont confirmés par la variation spectrale de la photoconductibilité

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