Diodes Schottky et MIS tunnel sur silicium amorphe hydrogéné de qualité photovoltaïque préparé par pulvérisation cathodique Caractérisation électrique par mesures capacitives

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Abstract
Des diodes Schottky et MIS tunnel (Métal-Isolant-Semiconducteur) ont été réalisées sur silicium amorphe hydrogéné obtenu par pulvérisation cathodique. Le matériau présente une forte photoconductivité ; la tension de circuit ouvert et le courant de court-circuit de la diode Schottky sont respectivement 700 mV et 4 mA/cm2 sous éclairement AM1 en l'absence de couche anti-réfléchissante. Les dispositifs sont utilisés pour la caractérisation électrique du matériau : on relève les caractéristiques courant-tension en fonction de la température et capacité-tension en fonction de la fréquence. On donne une estimation de la distribution des états électroniques dans la bande d'énergie interdite du matériau ; les résultats indiquent une très faible densité d'états autour du milieu de la bande interdite (< 1016 cm-3 eV -1). Les auteurs mettent en relief les principaux aspects et les difficultés des mesures de capacité de diodes Schottky préparées sur silicium amorphe hydrogéné