Influence de la technique de dépôt d'isolant et des modes de décapage du semiconducteur sur les propriétés électriques de structures métal-Al 2O3-InP

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Abstract
Le but de cette étude est d'identifier l'influence de l'oxyde natif de InP sur les propriétés électriques de l'interface InP-Al2O 3 en vue de la réalisation de transistors à effet de champ à grille isolée. Des structures métal-Al 2O3-InP ont été réalisées par trois techniques différentes de dépôt de la couche d'alumine sur des substrats InP (1, 0, 0) de type n : pulvérisation ionique réactive, évaporation par canon à électrons, évaporation thermique réactive. Deux traitements chimiques préalables de la surface ont été testés : le premier à base de HF tendant à éliminer l'oxyde natif, le deuxième à base de NH4OH favorisant la formation d'un oxyde natif continu et stable. Les deux techniques de dépôt par évaporation n'entraînant pas la dégradation de l'interface n'ont pas d'influence propre sur les caractéristiques électriques de l'interface Al2O3-InP contrairement à la technique par pulvérisation ionique réactive. Par contre la formation d'un oxyde natif stable entraîne une réduction notable de la densité d'états d'interface (Nss = 4 x 1011 eV-1 cm-2 au voisinage de la bande de conduction). Par rapport au traitement HF, le traitement NH4OH devrait donc conduire à une augmentation de la mobilité effective des électrons dans le canal d'un transistor InP MISFET