Etude et modélisation de la dégradation des transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique
Open Access
- 1 January 1986
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 21 (5) , 305-318
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01986002105030500
Abstract
Le vieillissement des TMOS submicroniques est étudié par l'évolution expérimentale de la mobilité d'effet de champ μFE (transconductance normalisée en régime ohmique) au cours de contraintes de différentes durées. L'évolution de la tension de seuil extrapolée et celle de la tension de seuil de mobilité sont également étudiées. Les dégradations les plus importantes sont observées en fin de contrainte pour les plus fortes tensions de grille appliquées. Les variations du maximum de mobilité et de tensions de seuil au cours du temps montrent deux régimes : prédominance de la dégradation de mobilité en début de contrainte, et création dominante d'états d'interface et/ou de charges fixes avec diminution du taux de variation de mobilité après plusieurs heures de contrainte. Les dégradations de mobilité sont corrélées à la variation de la tension de seuil de mobilité et à celle de la tension de seuil extrapolée. Enfin, les résultats expérimentaux sont analysés grâce à un modèle de transconductance basé sur la dépendance de la mobilité avec la charge d'inversionKeywords
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