Niveaux profonds dans le GaAs implanté bore

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Abstract
Nous avons étudié le comportement du bore implanté dans des couches n obtenues par implantation de sélénium (épaisseur 0,25 μm) dans des substrats semi-isolants de GaAs dopés Chrome. Les échantillons présentant une forte résistivité, nous avons utilisé une méthode de courant transitoire stimulé optiquement. Les courants transitoires obtenus sont analysés en fonction de la température comme en D.L.T.S. Une comparaison entre les échantillons implantés bore et non implantés montre que l'implantation de bore a pour effet de faire apparaître des centres profonds. L'étude en fonction de la concentration de bore ne montre pas de niveaux liés au bore, mais un niveau généralement attribué à un excès d'Arsenic diminue quand la concentration de bore augmente. Une discussion de ces résultats est présentée dans ce papier