Störstellenreaktionen in den Randschichtbereichen von Si-Kristallen mit Zn- und Pt-Dotierung
- 16 May 1987
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Physica Status Solidi (a)
- Vol. 101 (1) , 193-203
- https://doi.org/10.1002/pssa.2211010122
Abstract
No abstract availableKeywords
This publication has 12 references indexed in Scilit:
- Dotierungseigenschaften von Nickel in SiliziumPhysica Status Solidi (a), 1987
- Störstellenreaktionen bei Cu-dotierten SiliziumkristallenPhysica Status Solidi (a), 1986
- Dotierungseigenschaften von Silber in SiliziumPhysica Status Solidi (a), 1986
- Störstellenreaktionen bei Au-dotierten SiliziumkristallenPhysica Status Solidi (a), 1985
- Dotierungseigenschaften von Kobalt in SiliziumPhysica Status Solidi (a), 1985
- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in SiliziumPhysica Status Solidi (a), 1985
- Energy Levels in SiliconAnnual Review of Materials Science, 1980
- Electrical properties of platinum in siliconJournal of Applied Physics, 1979
- Properties of Au, Pt, Pd and Rh levels in silicon measured with a constant capacitance techniqueSolid-State Electronics, 1974
- Thermal ionization rates and energies of holes at the double acceptor zinc centers in siliconPhysica Status Solidi (a), 1972