Dependence of doping element incorporation on temperature in the chemical vapour deposition of epitaxial silicon (III). Empirical incorporation characteristic of the Si‐P‐H system
- 1 January 1979
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Crystal Research and Technology
- Vol. 14 (4) , 413-420
- https://doi.org/10.1002/crat.19790140407
Abstract
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- The incorporation of phosphorus in silicon; The temperature dependence of the segregation coefficientJournal of Crystal Growth, 1975
- The Incorporation of Phosphorus in Silicon Epitaxial Layer GrowthJournal of the Electrochemical Society, 1974
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